آی جی بی تی دوبل ترکیبی از دو ترانزیستور BJT و ماسفت است. IGBT از دید ورودی، یک ماسفت، و از دید خروجی یک BJT است. BJT و ماسفت دارای خصوصیاتی هستند که از نقطه نظرهایی یکدیگر را تکمیل میکنند.
BJTها در حالت روشن (وصل) دارای تلفات هدایتی کمتری هستند، درحالیکه زمان سویٔیچینگ آنها به خصوص هنگام خاموش شدن طولانیتر است. ماسفتها قادرند که به مراتب سریعتر قطع و وصل شوند، بنابراین تلفات هدایت آنها بیشتر است. IGBT ترانزیستوری است که مزایای BJT و ماسفت را باهم دارد؛ مانند
امپدانس ورودی بالا (مانند ماسفت)افت ولتاژ و تلفات کم (مانند BJT)ولتاژ حالت روشن (وصل) کم (مانند BJT)
نام پایههای IGBT هم از نام پایههای BJT و ماسفت گرفته شدهاست؛ گِیت از ماسفت، و کلکتور و امیتر هم از BJT. سرعت سوییچ کردن IGBT محدود است، بهطور نمونه 1 KHz تا 50 KHz که در کل بین BJT و ماسفت قرار میگیرد.
مهمترین و تقریباً تنها کارایی IGBT، سوییچینگ جریانهای بالا است.
ترانزیستور دو قطبی با گِیت عایق شده (انگلیسی: Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT) از نیمههادیهای قدرت است که دارای قابلیت عملکرد در ولتاژها و جریانهای بالا و نیز سوییچینگ سریع است. این ترانزیستور در بسیاری از لوازم مدرن از جمله خودروی برقی، قطار، یخچالها، دستگاههای تهویه مطبوع، سیستمهای استریو و تقویت کنندههای قدرت استفاده میشود. همچنین در ساخت اینورترها، ترانس جوشکاری و منبع تغذیهٔ UPS نیز کاربرد دارد.