دکتر افشین رشید _ اُستادیار ؛ عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران : اصولاً اتصالات نیم رسانا - فلز جزء لازمه تمامی قطعات نانو الکترونیکی هستند. چگونگی و رفتار اتصالات نانو الکتریکی به غلظت سطح نیم رسانا (Si ) و (Gi) تمیزی سطح و واکنشهای بین فصل مشترک فلز - نیم رسانا بستگی دارد. بعد از ابداع نانو ترانزیستور ، مفهوم و اهمیت مدار های مجتمع روشن شد. پس از آن موفقیت بزرگ تجمع و اتصال تعداد بسیار زیادی از قطعات کوچک و اجزای الکترونیکی بر سطح زیر لایه تحول عظیمی در ساخت عملی مدارهای مجتمع بوجود آورد.