افشین رشید _ اُستادیار ؛ عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران : بَرهمکنش ذرات الکترونیکی نانو گرافنی جذب شــده که این عمل موجب تغییر هدایت الکتریکی در سطح نانو حافظه های مولکولی گرافنی Nano Memory Moulcolar میشــود. جذب مقدار کم نانو الکترون بــا جنبش مولکولی بسیار کم موجب تغییــر مقاومت نانو گرافن شــده که این مقاومت متناسب با نانو حافظه های مولکولی گرافنی Nano Memory Moulcolar میباشد.