دکتر افشین رشید _ اُستادیار ؛ عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران :
از طرف دیگر تقاضای جدید برای ساخت مدارهای مجتمع به ویژه نانو مدارهای حافظه شامل نانو حافظه دینامیکی (DRAM) و حافظه استاتیکی (SRAM) با ویژگیهایی نظیر سرعت عمل بالا توأم با کاهش اتلاف توان روز به روز بیشتر شد. در روند تکاملی فناوری فرامینیاتور کردن نانو قطعات الکترونیکی بویژه در هندسه و مقیاس زیر میکرونی کمتر از 2.0 میکرومتر یعنی حوزه فناوری طراحی قطعات نانو الکترونی و فناوری ساخت بر پایه نانو ساختار های Gi و Si نانو مدار های مجتمع از پیچیدگی خاصی برخوردار است.