دکتر افشین رشید _ اُستادیار ؛ عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران: نانو سیم های سیلیکونی یکی از بهترین مثالها برای نانو ساختارهای نیمه هادی هستند که می توانند به صورت تک بلور با قطر کومک به اندازه 9 تا 0 نانومتر ساخته شوند. مزایای SiNWs در استفاده و توسعه سیستم عامل های سنسور ناشی از خواص شناخته شده سیلیکون و فرآیندهای ساخت مطلوب آن است. از خواص فیزیکی این نانو سیم ها میتوان به خواص الکتریکی، فوتوالکتریک و مکانیکی آنها اشاره کرد. نانو سیم ها (SiNWs ) دارای تحرک و نسبت سطح به حجم بالا هستند و همین امر موجب میشود که بتوان به راحتی آنها را با استفاده از یکمیدان الکتریکی ضعیف کنترل کرد. این نانو ساختار های یک بعدی از نانوسیم ها و با قطری در محدودۀ نانومتر و طولی بیش از میکرومتر ایجاد میشوند .در ساخت نانو سیم ها ز آرایه های منظم یک بعدی به کمک روش های متفاوت فیزیکی و شیمیایی انجام گرفته است. روش هایی مانند استفاده از پرتو الکترونی یا روش لیتوگرافی ، پرتوافکنی با یون های سنگین، لیزر، روش های شیمیایی و الکترو شیمیایی مانند گرما آبی و از روش های تجمع خود به خودی که برای ساخت غشاء های قالب ها به کار میرود، نیز میتوان استفاده کرد.