در حال بارگذاری ویدیو ...

نانو الکتریک_پلاسمون(افشین رشید)

افشین رشید
افشین رشید

دکتر افشین رشید _ اُستادیار ؛ عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران: در ساختار (نانو ترانزیستور ها) Nano transistor کمیت الکترونیکی که راحت تر در دسترس می باشد ، پتانسیل یونیزاسیون است و در پتانسیل یونیزاسیون در اندازه دانه های کوچک نانو ساختار (ذرات ریزتر) بیشتر است یعنی با افزایش اندازه ذرات پتانسیل یونیزاسیون آنها کاهش می یابد.افزایش نسبت سطح به حجم وتغیرات در هندسه وساختار الکترونیکی تاثیر شدیدی روی فعل وانفعالات شیمیایی ماده می گذارد و برای مثال فعالیت ذرات کوچک با تغییر در تعداد اتم ها (و در نتیجه اندازه ذرات) تغییر می کند.بَر خلاف نانو ترانزیستور های امروزی که بر پایه حرکت توده ای از الکترونها در ماده رفتار میکنند وسیله های جدید از پدیده های مکانیک کوانتومی در مقیاس نانو پیروی میکنند که دیگر طبیعت گسسته الکترون در آن قابل چشم پوشی نیست .با کوچک کردن تمامی ابعاد افقی و عمودی ترانزیستور، چگالی بار الکتریکی در نواحی گوناگون نانو ترانزیستور افزایش می یابد یا به بیان دیگر تعداد بار الکتریکی در یکای سطح نانو ترانزیستور زیاد میشود.

نظرات

در حال حاضر امکان درج نظر برای این ویدیو غیرفعال است.

توضیحات

نانو الکتریک_پلاسمون(افشین رشید)

۰ لایک
۰ نظر

دکتر افشین رشید _ اُستادیار ؛ عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران: در ساختار (نانو ترانزیستور ها) Nano transistor کمیت الکترونیکی که راحت تر در دسترس می باشد ، پتانسیل یونیزاسیون است و در پتانسیل یونیزاسیون در اندازه دانه های کوچک نانو ساختار (ذرات ریزتر) بیشتر است یعنی با افزایش اندازه ذرات پتانسیل یونیزاسیون آنها کاهش می یابد.افزایش نسبت سطح به حجم وتغیرات در هندسه وساختار الکترونیکی تاثیر شدیدی روی فعل وانفعالات شیمیایی ماده می گذارد و برای مثال فعالیت ذرات کوچک با تغییر در تعداد اتم ها (و در نتیجه اندازه ذرات) تغییر می کند.بَر خلاف نانو ترانزیستور های امروزی که بر پایه حرکت توده ای از الکترونها در ماده رفتار میکنند وسیله های جدید از پدیده های مکانیک کوانتومی در مقیاس نانو پیروی میکنند که دیگر طبیعت گسسته الکترون در آن قابل چشم پوشی نیست .با کوچک کردن تمامی ابعاد افقی و عمودی ترانزیستور، چگالی بار الکتریکی در نواحی گوناگون نانو ترانزیستور افزایش می یابد یا به بیان دیگر تعداد بار الکتریکی در یکای سطح نانو ترانزیستور زیاد میشود.

علم و فن آوری